加利福尼亚州戈利塔--(美国商业资讯)-- Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是强大的GaN功率半导体（下一代电力系统的未来）领域全球领先的企业。该公司今天推出了三款TOLL封装的SuperGaN®FET，其导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合行业标准，也就是说SuperGaN TOLL FET可以用作任何电子模式TOLL解决方案的开箱即用型替代品。新器件还提供了Transphorm久经验证的高电压动态（开关）导通电阻可靠性，这在基于厂家的主要电子模式GaN产品中通常是缺乏的。要对设备进行采样，请访问Transphorm的产品页面：https://www.transphormusa.com/en/products/。
这三种表面安装型器件（surface mount device，SMD）支持在1至3千瓦的平均范围内运行的更高功率应用。这些电力系统通常出现在高性能领域，如计算（人工智能、服务器、电信、数据中心）、能源和工业（光伏逆变器、伺服电机）以及其他各类工业市场，这些市场目前在全球的GaN TAM价值25亿美元。值得注意的是，FET是当今快速扩展的人工智能系统的最佳解决方案，这些系统依赖于需要高出传统CPU十到十五倍功率的GPU。
Transphorm的高功率GaN设备已供应给各个领域的主要客户，这些客户使用这些设备为其生产中的高性能系统供电，其中包括数据中心电源、高功率竞技PSU、UPSe和微转换器。TOLL设备也可以支持这些应用，而基于电动汽车的直流-直流转换器和车载充电器也可以支持，其中基础的SuperGaN芯片已经通过了汽车（AEC-Q101）认证。
SuperGaN TOLL FET是Transphorm提供的第六种封装类型，为客户提供了最广泛的封装选择，以满足其独特的设计要求。与所有Transphorm产品一样，TOLL器件利用了常关d模式SuperGaN平台带来的固有性能和可靠性优势。有关SuperGaN和e模式GaN之间的详细竞争分析，请下载该公司最新的白皮书 《d模式GaN在Cascode配置中的基本优势》。该白皮书的结论与今年早些时候发布的一项正面比较一致。该比较显示，在商用280 W游戏笔记本电脑充电器中，72毫欧姆的SuperGaN FET的性能优于较大的50毫欧姆的电子模式设备。
SuperGaN器件凭借以下优势领先市场：
设备规格
坚固耐用的650V SuperGaN TOLL器件已通过JEDEC认证。由于常关d模式平台将GaN HEMT与低压硅MOSFET配对，因此SuperGaN FET易于使用常用的现成栅极驱动器进行驱动。它们可以用于各种硬开关和软开关AC到DC、DC到DC和DC到AC拓扑，以提高功率密度，同时降低系统尺寸、重量和总体成本。
| 零件 | 尺寸 (mm) | RDS(on) (mΩ) typ | RDS(on) (mΩ) max | Vth (V) typ | Id (25°C) (A) max |
| TP65H035G4QS | 10 x 12 | 35 | 41 | 4 | 46.5 |
| TP65H050G4QS | 10 x 12 | 50 | 60 | 4 | 34 |
| TP65H070G4QS | 10 x 12 | 72 | 85 | 4 | 29 |
可用性和支持资源
SuperGaN TOLL器件目前可供采样。要接收产品，请访问https://www.transphormusa.com/en/products/并提交请求。
优化基于TOLL的系统开发的关键应用说明包括：
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是GaN革命的全球领导企业。该公司设计和制造用于高压功率转换应用的高性能、高可靠性GaN半导体。Transphorm具有最大的功率GaN IP组合之一，拥有1000多项公司拥有或获得许可的专利。该公司生产了业界首个符合JEDEC和AEC-Q101要求的高压GaN半导体器件。该公司的垂直集成设备商业模式允许在每个开发阶段进行创新：设计、制造、设备和应用支持等。Transphorm的创新使电力电子产品超越了硅的限制，实现了超过99%的效率、50%以上的功率密度和20%以下的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州戈利塔，并在戈利塔和日本艾祖设有制造业务。若要了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。在推特@transphormasa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。
SuperGaN商标是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
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