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第三代SiC SBD芯片新品应用了一种新金属，优化了第二代产品的结势垒肖特基(JBS)结构[2]。它们实现了业界领先的[3] 1.2V（典型值）低正向电压，比前一代的1.45V（典型值）低17%。它们还改善了正向电压和总电容电荷之间以及正向电压和反向电流之间的平衡关系，从而减少了功耗并提高了设备的效率。
注释：
[1] 截至2023年7月。
[2] JBS结构降低了肖特基界面的电场强度并减少了泄漏电流。
[3] 截至2023年7月，Toshiba调查。
应用
· 切换电源
· 电动车充电站
· 光伏逆变器
特性
· 行业领先的[3] 正向电压：VF＝1.2V（典型值）(IF=IF(DC))
· 低反向电流：
TRS6E65H IR＝1.1μA（典型值）(VR=650V)
· 低总电容电荷：
TRS6E65H QC＝17nC（典型值）(VR=400V, f=1MHz)
主要规格
| （除非另有说明，Ta=25°C） | |||||||||||
| 产品 型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 样品 查询与 供货情况 | |||||||
| 重复性 峰值 反向 电压 VRRM (V) | 正向 直流 电流 IF(DC) (A) | 非重复性 峰值正向 浪涌电流 IFSM (A) | 正向 电压 （脉冲 测量） VF (V) | 反向 电流 （脉冲 测量） IR (μA) | 总 电容 Ct (pF) | 总 电容 电荷 QC (nC) | |||||
|
| 温度条件 Tc (°C) | f=50Hz （半正弦 波， t=10ms）， Tc=25°C | 方 波， t=10μs， Tc=25°C | IF=IF(DC) | VR=650V | VR=400V, f=1MHz | |||||
| 典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | ||||||||
| TRS2E65H | TO-220-2L | 650 | 2 | 164 | 19 | 120 | 1.2 | 0.2 | 10 | 6.5 | 在线购买 |
| TRS3E65H | 3 | 161 | 28 | 170 | 0.4 | 14 | 9 | 在线购买 | |||
| TRS4E65H | 4 | 158 | 36 | 230 | 0.6 | 17 | 12 | 在线购买 | |||
| TRS6E65H | 6 | 153 | 41 | 310 | 1.1 | 24 | 17 | 在线购买 | |||
| TRS8E65H | 8 | 149 | 56 | 410 | 1.5 | 31 | 22 | 在线购买 | |||
| TRS10E65H | 10 | 148 | 62 | 510 | 2.0 | 38 | 27 | 在线购买 | |||
| TRS12E65H | 12 | 148 | 74 | 640 | 2.4 | 46 | 33 | 在线购买 | |||
| TRS4V65H | DFN8×8 | 4 | 155 | 28 | 230 | 0.6 | 17 | 12 | 在线购买 | ||
| TRS6V65H | 6 | 151 | 41 | 310 | 1.1 | 24 | 17 | 在线购买 | |||
| TRS8V65H | 8 | 148 | 45 | 410 | 1.5 | 31 | 22 | 在线购买 | |||
| TRS10V65H | 10 | 145 | 54 | 510 | 2.0 | 38 | 27 | 在线购买 | |||
| TRS12V65H | 12 | 142 | 60 | 640 | 2.4 | 46 | 33 | 在线购买 | |||
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公司在全球各地的2.15万名员工同心同德，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待在近8000亿日元（61亿美元）的年度销售额基础上再接再厉，为全人类创造更加美好的未来。
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Toshiba：TRSxxx65H系列，第三代650V碳化硅肖特基势垒二极管。（图示：美国商业资讯）
