加利福尼亚州戈莱塔--(美国商业资讯)-- Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化镓（GaN）功率转换产品的领军企业和全球供应商。公司今天宣布推出六款表面贴装器件（SMD），采用行业标准PQFN 5x6和8x8封装。这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN® d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和性能优势，并采用为竞品e-mode GaN器件常用的封装配置。因此，这六款设备可在e-mode GaN解决方案中轻松用作第一设计源，或用作引脚对引脚兼容的插拔式替换和/或第二来源。
对于需要SuperGaN平台的额外热性能的电源系统，Transphorm另提供采用经优化Performance封装的SMD。无论何种封装，所有Transphorm器件都具有易于设计和驱动的特点，因为d-mode配置使用的是与GaN HEMT配对的低电压Silicon MOSFET。该平台配置还允许使用标准的现成品控制器和/或驱动器，进一步提升了Transphorm系列产品的卓越驱动性和可设计性。
Transphorm业务拓展和营销高级副总裁Philip Zuk表示：“Transphorm持续生产强大的GaN器件组合，覆盖了当今最广泛的功率范围。通过推出这些行业标准封装，我们进一步巩固了我们的低功率策略，而在此前，我们刚刚发布了与Weltrend半导体共同开发的SiP封装。现在客户可以选择如何利用SuperGaN的优势，不论是通过Performance封装、引脚对引脚e-mode兼容的行业标准封装还是通过系统级封装。”
SuperGaN插拔式替换的优势
经证明，用SuperGaN d-mode FET替换e-mode器件能够降低传导损耗，提供更高的性能和更低的工作温度，从而实现更长的寿命可靠性。这是由于与e-mode GaN常闭式设备相比，d-mode GaN常闭式设备从根本上具有内在的优势。最近的一次直接比较便可为此提供证明，该测试用72 mΩ SuperGaN技术替换了280W游戏笔记本电脑充电器的50 mΩ e-mode设备：https://bit.ly/diraztbISP。
在充电器分析中，SuperGaN FET可以在控制器的输出电压范围内工作（而e-mode需要电平转换），且温度更低。SuperGaN的电阻温度系数（TCR）约比e-mode低 25%，有助于降低传导损耗。此外，外围元件数量减少了20%，表明原材料成本也更低。
行业标准的SMD系列产品
Transphorm的行业标准PQFN设备清单如下：
| 器件 | 导通电阻（毫欧） | 封装 |
| TP65H070G4LSGB | 72 | PQFN88 |
| TP65H150BG4JSG | 150 | PQFN56 |
| TP65H150G4LSGB | 150 | PQFN88 |
| TP65H300G4JSGB | 240 | PQFN56 |
| TP65H300G4LSGB | 240 | PQFN88 |
| TP65H480G4JSGB | 480 | PQFN56 |
这些设备共享的主要特点包括：
目标应用
72 mΩ FET的优化设计适用于数据通信、广泛的工业、光伏逆变器、伺服电机、计算系统和普通消费类应用。
150、240和480 mΩ FET的优化设计适用于功率适配器、低功率开关电源、照明和低功率消费类应用。
供货情况
所有行业标准设备目前提供样品，可以在此处申请：https://www.transphormusa.com/en/products/#sampling。
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是全球GaN革命的领导者，为高电压功率转换应用设计和制造高性能、高可靠性的GaN半导体。Transphorm拥有庞大的功率GaN知识产权组合，包括超过1000个自有或授权专利，生产了业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高电压GaN半导体器件制造商。公司的垂直一体化器件商业模式利于每一个开发阶段的创新，包括设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新推动电力电子技术突破了硅材料的局限，实现了99%以上的效率，使功率密度提高50%，系统成本降低20%。Transphorm总部位于加州戈莱塔市，在戈莱塔和日本会津设有制造业务。欲了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。敬请关注我们的Twitter@transphormusa和微信@ Transphorm_GaN。
SuperGaN标志是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
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