从器件技术和性能发展来看，功率半导体的器件结构向复杂化演进，先后出现二极管、晶闸管、MOSFET 和 IGBT 等器件。中国功率半导体行业起步较晚，整体技术水平落后于美国、欧洲、日本和韩国，国内产品种类相对单一，以硅基二极管和晶闸管为主，MOSFET 和 IGBT 产品近年才有所发展。
黄山芯微电子股份有限公司(以下简称“芯微电子”或“公司”)主要从事功率半导体芯片、器件和材料的研发、生产和销售，产品以晶闸管为主，涵盖 MOSFET、整流二极管和肖特基二极管及上游材料(抛光片、外延片、铜金属化陶瓷片)。公司产品主要应用于工业控制、消费电子、电力传输等领域。值得注意的是，芯微电子拟在冲刺创业板上市。
芯微电子建有安徽省功率半导体芯片工程技术研究中心、省级企业技术中心，博士后科研工作站研发平台。研发团队具备芯片正向研发设计能力，可以自主完成器件、工艺和芯片版图的仿真与设计，拥有安徽省首批战略性新兴产业技术领军人才、安徽省技术领军人才、安徽省特支计划创新领军人才、黄山市专业技术拔尖人才以及正高级工程师职称的业内知名器件专家带领的核心团队，多位团队成员具有超过二十年功率半导体产业链 IDM 模式下的研发经验和专业背景。
公司自创立以来一直深耕功率半导体行业，近年来，公司产品线不断向上游核心材料延伸，成为国内功率半导体行业少数集上游原材料生产、芯片研发、晶圆制造及封装测试为一体的厂商之一，本次募集资金投资项目有利于提升公司创新创造能力。研发中心建设项目通过提升公司研发的软硬件水平，为公司的创新活动提供更加优越的环境，提高研发效率，吸纳优秀技术研发人才，是公司业务创新的重要渠道。
未来，公司将在现有产品基础上，通过研发、设计等手段实现产品的升级换代、提高产品可靠性、降低产品成本形成差异化竞争的优势;通过管理水平的提升实现产品生产的一致性和稳定性。重视人才自主培养、搭建研发平台，为人才培育及科技创新提供高质量的支撑和发展环境。
