东京--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation 是全球存储器解决方案的领导者，公司今日宣布，其研究论文已被 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 2024 接受发表。IEDM 2024 是享誉全球的国际盛会，将于 12 月 7 日 至 11 日 在美国旧金山举行。
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Kioxia 致力于半导体存储器的研发，这对于人工智能的进步和社会数字化转型至关重要。除了其最先进的 3D 闪存技术 BiCS FLASH™ 之外，Kioxia 在新兴存储器解决方案的研究方面也卓有成效。公司不断努力，以创新的存储器产品满足未来计算和存储系统的需求。
现有的计算系统利用 DRAM（一种主要的存储器，使 CPU 能够快速处理数据）以及闪存来存储海量数据。Kioxia 正引领存储级存储器 (SCM) 的研发，SCM 是一种位于半导体存储器层级结构中 DRAM 和闪存之间的存储器解决方案，旨在以比 DRAM 更大的容量和比闪存更高的速度处理数据。
在 IEDM 上，Kioxia 将揭晓针对这三种半导体存储器而定制的尖端技术： (1) 一种利用氧化物半导体的新型 DRAM，重点是降低功耗，(2) 适用于更大容量 SCM 应用的 MRAM，以及 (3) 具有更高比特密度和性能的新型 3D 闪存结构。
新兴存储器技术：
1. 氧化物半导体通道晶体管 DRAM (OCTRAM)： 该技术由南亚科技和 Kioxia Corporation 联合开发。双方开发了一种垂直晶体管，通过改进制造工艺增强了电路集成度。同时，通过利用氧化物半导体的特性提升晶体管性能，实现了极低的电流泄漏。这有望降低各种应用的功耗，包括 AI、后 5G 通信系统以及物联网产品。
论文标题：具有 4F2 架构的氧化物半导体通道晶体管 DRAM (OCTRAM)（论文编号：6-1）
2. 高容量交叉点 MRAM 技术： 该技术由 SK 海力士和 Kioxia Corporation 联合开发。通过该技术，双方结合适用于大容量的选择器与磁性隧道结的单元技术，并应用交叉点型阵列的精细加工技术，在 MRAM 最小的单元半间距 20.5 纳米规模上实现了单元读/写操作。随着存储单元小型化，存储器可靠性往往会下降。双方利用选择器瞬态响应的新读出方法，并降低读取电路的寄生电容，开发出一种潜在的解决方案。该技术在 AI 和大数据处理方面具有实际应用价值。
论文标题：全球最小的 64 Gb 交叉点 MRAM 1Selector-1MTJ 单元的可靠存储器操作和低读取干扰率（论文编号：20-1）
3. 采用水平单元堆叠结构的下一代 3D 存储器技术： Kioxia 开发了一种新的 3D 结构来提高可靠性并防止 NAND 型单元性能下降。在传统结构中，堆叠层数增加通常会导致性能下降。与垂直排列 NAND 型单元的传统结构相比，新结构通过水平堆叠 NAND 型单元。这种结构允许以低成本实现高比特密度和高可靠性的 3D 闪存。
论文标题：先进水平通道闪存的卓越可扩展性，适用于未来几代 3D 闪存（论文编号：30-1）
有关 IEDM 的更多详情，请访问：https://www.ieee-iedm.org/
Kioxia 的使命是“用‘存储器’提升世界”，旨在通过存储器技术开创新时代，并将继续推动研发，支撑数字社会未来发展。
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关于 Kioxia
Kioxia 是全球存储器解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory，于2017年4月从Toshiba Corporation（1987年发明了NAND闪存）剥离出来。Kioxia 致力于凭借存储器技术促进世界发展，该公司提供各种产品、服务和系统，为客户提供多样化选择，并基于存储器技术创造价值，推动社会的发展。Kioxia 创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心）的未来。
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存储器层次结构（图示：美国商业资讯）
