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自动驾驶系统等安全关键(safety-critical)应用通过冗余设计来确保可靠性,因此与标准系统相比,其集成的器件数量更多,需要的贴装空间更大。因此,随着车载设备尺寸的不断缩小,需要能够以高电流密度贴装功率MOSFET。
XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用了Toshiba的新型S-TOGL™封装(7.0mm×8.44mm[1]),利用无接线柱结构将源极连接件和外部引脚一体化。源极引脚采用多针结构,从而降低了封装电阻。
通过将S-TOGL™封装与Toshiba的U-MOS IX-H工艺结合,与Toshiba的TO-220SM (W)封装产品相比,导通电阻大幅下降了11%[2],同时保持了相同的热阻特征。此外与TO-220SM (W)封装相比,新封装需要的贴装面积也减少了大约55%。除此之外,新封装的漏极额定电流为200A,高于类似大小的Toshiba DPAK +封装(6.5mm×9.5mm[1]),从而提供大工作电流。总之,S-TOGL™封装不仅实现了高密度和紧凑的布局,降低了车载设备的大小,同时也有利于实现高散热。
由于车载设备可能在极端温度环境中使用,表面贴装焊点的可靠性是一个需要考虑的关键因素。S-TOGL™封装采用的鸥翼式引脚可降低贴装应力,提高焊点可靠性。
当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时,Toshiba支持这两款新品分组出货[3],即按栅极阈值电压对产品分组。这样可以确保设计使用同一组别的产品,从而减少特性偏差。
Toshiba将不断扩展其功率半导体产品的阵容,以对用户更友好的高性能功率器件,促进碳中和目标的实现。
应用
特性
XPJR6604PB: ID=200A
XPJ1R004PB: ID=160A
XPJR6604PB: RDS(ON)=0.53m(典型值)(VGS=10V)
XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8m(典型值)(VGS=10V)
注:
[1] 典型封装尺寸,含引脚。
[2] 采用TO-220SM(W)封装的TKR74F04PB。
[3] Toshiba提供分组出货,每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V,但是不允许指定特定组别。请联系Toshiba销售代表了解更多详情。
[4] 请联系Toshiba销售代表了解更多详情。
主要规格
| 新产品 | 当前产品 | |||||
器件型号 | XPJR6604PB | XPJ1R004PB | TKR74F04PB | TK1R4S04PB | |||
极性 | N沟道 | ||||||
系列 | U-MOS IX-H | ||||||
封装 | 名称 | S-TOGL™ | TO-220SM(W) | DPAK+ | |||
尺寸(mm) | 典型值 | 7.0×8.44, t=2.3 | 10.0×13.0, t=3.5 | 6.5×9.5, t=2.3 | |||
绝对最大额定值 | 漏极-源极电压DSS(V) | 40 | |||||
漏极电流(DC) ID(A) | 200 | 160 | 250 | 120 | |||
漏极电流(脉冲)IDP(A) | 600 | 480 | 750 | 240 | |||
沟道温度Tch(°C) | 175 | ||||||
电气特性 | 漏极-源极导通电阻 RDS(ON)(mΩ) | VGS=10V | 最大值 | 0.66 | 1.0 | 0.74 | 1.35 |
沟道到外壳热阻 Zth(ch-c)(°C/W) | Tc=25°C | 最大值 | 0.4 | 0.67 | 0.4 | 0.83 |
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商,依托半个多世纪的经验与创新优势,为客户和业务合作伙伴提供杰出的半导体分立器件、系统LSI和HDD产品。
公司在全球拥有21,500名员工,以实现产品价值最大化为己任,与客户紧密合作,共同创造价值、开拓新市场。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporaion年销售收入近8000亿日元(61亿美元),立志为全人类创造更加美好的未来。
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Toshiba:采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对高散热和小尺寸的需求。(图示:美国商业资讯)